霍尔效应局部应变传感器
高级传感器
    型 号:
    原产地:英国GDS公司
    用 途:霍尔效应局部应变传感器可以直接在试样上测量轴向和径向小应变.
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霍尔效应局部应变传感器

产品介绍:

GDS 霍尔效应局部应变传感器可以直接在试样上测量轴向和径向小应变,是一款性能卓越的土工试验传感器。

 

在常规实验室试验中精确确定土的刚度是困难的。通常,三轴试样轴向刚度的确定是通过包括一系列的附加位移测量来确定的。例如,三轴试验中真实土应变的变化可能被加载和加载测试系统的可塑性所掩盖。设备的可塑性和试样安放影响使得试验时试样的应力应变特性难以正确的获得,特别对于小应变范围的试验。所以大多数三轴试验得出的土的刚度,往往远低于那些根据野外情况得到的土的强度。(Jardi ne,Symes &Burland,1984)。霍尔效应传感器是一款精确的局部应变传感器,很好的解决了以上问题。

 

工作原理:

如果一个通电的金属或半导体板被放在一个磁力线与板和电流垂直的磁场里,载荷流子将偏斜,使得产生的电压在垂直于电流的方向上越过该板,这就是1879年E.H.霍尔所发现的,所谓的霍尔效应。霍尔效应半导体传感器被广泛用于测量磁流密度。这些装置的线性型产生典型的直流输出,并在整个指定量程范围内,与磁流密度呈线性变化。

 

这种装置被用来量测三轴试样的轴向和径向变形。这个工作首先由Dr. C.R.I. Clayton及其同事在Surry完成,并已成功地使用了十年。

 

技术参数:

● 量程 = +/- 3.0mm
● 采用16 bit 数据采集装置,分辨率为 +/- 3.0mm = <0.1μm
● 精度 = 0.8% FRO
● 测径器重量, 38mm 测径器 = 24g, 70mm 测径器 = 46g
● 轴向装置重量 (1 套) = 16g
● 传感器重量 (1 套完整的霍尔效应芯片) = 5g

 

 

产品优点:

● 可以直接在试样上测量轴向和径向变形
● 轻型而紧凑的部件
● 霍尔效应半导体芯片非常轻,非常小,以弥补温度和直流电压的变化
● 高输出,高分辨率
● 设计成可以与GDS数据采集系统配套使用
● 拥有超过10年的大学使用经验

用户图片:


淮阴工学院 HALL

 

 

霍尔效应局部应变传感器是英国GDS公司研发的一款高性能的局部应变传感器,欢迎选购。


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STQ180114
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